算例 14-2:GaAs 的静态介电张量与 Born 有效电荷(LEPSILON / DFPT)¶
目的¶
- 用密度泛函微扰理论(
LEPSILON = .TRUE.)计算 GaAs 的电子(钳位离子)静态介电常数 ε∞,比较"不含 / 含局域场效应"的差别,并读出 Born 有效电荷 Z*; - 再加上
IBRION = 8(DFPT 声子),得到离子贡献 ε_ion 与静态介电常数 ε0 = ε∞ + ε_ion,并用 Lyddane–Sachs–Teller(LST)关系做自洽检查。
这两组数据也正是极性材料声子计算中非解析修正(NAC,phonopy 的 BORN 文件)所需要的输入,见 第12章。
对应教程:第14章 介电与光学性质。
文件说明¶
| 文件 | 作用 |
|---|---|
POSCAR |
闪锌矿 GaAs 原胞,采用实验晶格常数 a = 5.653 Å(PBE 在自身平衡晶格下带隙接近 0,用实验晶格可得到有限带隙,便于演示) |
KPOINTS |
Γ 中心 12×12×12(线性响应 / PEAD 例程要求 Γ 中心或奇数网格) |
INCAR |
Part A:LEPSILON = .TRUE.,IBRION = -1 |
INCAR.ionic |
Part B:LEPSILON = .TRUE. + IBRION = 8 |
job.slurm |
在 A_lepsilon/、B_ionic/ 两个子目录中依次运行,并 grep 关键结果 |
POTCAR 由作业脚本按 cat $VASP_PP_PATH/potpaw_PBE/{Ga_d,As}/POTCAR > POTCAR 生成(仓库不提供 POTCAR)。
运行步骤¶
cd VASP/examples/14-dielectric-gaas-lepsilon
export VASP_PP_PATH=/path/to/your/paw_library
sbatch job.slurm
Warning
不要在这两个 INCAR 里设置 NCORE 或 NPAR(保持默认 NCORE = 1),否则线性响应 / PEAD 例程会报错退出。可以用 KPAR 做 k 点并行。
预期结果 / 如何检查¶
cd A_lepsilon
grep -A 5 "MACROSCOPIC STATIC DIELECTRIC TENSOR" OUTCAR # 依次列出不同近似下的 eps_inf
grep -A 10 "BORN EFFECTIVE CHARGES" OUTCAR # 每个离子一个 3x3 张量
grep -A 6 "PIEZOELECTRIC TENSOR" OUTCAR # 闪锌矿有非零的 e14
cd ../B_ionic
grep -A 5 "MACROSCOPIC STATIC DIELECTRIC TENSOR IONIC CONTRIBUTION" OUTCAR
grep "THz" OUTCAR # Gamma 点频率(TO 模、3 个约为 0 的声学模)
判断标准:
- 立方对称:介电张量和 Born 电荷张量都应是对角且三个对角元相等;Ga 与 As 的 Z* 大小相等、符号相反(电荷中性的声学求和规则),偏差较大说明 k 点不够。
- 同一 OUTCAR 中会有多组 ε∞:不含局域场(excluding local field effects)、只含 Hartree 局域场(RPA)、含 Hartree + 交换关联局域场(in DFT)。Hartree 局域场一般使 ε∞ 减小,再加入交换关联项一般又使其增大(见官方
LRPA说明);与实验比较时通常取"including local field effects in DFT"一组。 - 量级参考(实验,近似值):ε∞ ≈ 10.9,ε0 ≈ 12.9,Z* ≈ 2.1。PBE 低估带隙,因此 ε∞ 往往明显偏大;这是泛函误差而不是输入错误。
- LST 关系:ε0/ε∞ = (ω_LO/ω_TO)²,可与实验 TO/LO 频率比较;
IBRION = 8只给出 Γ 点不含长程场的 TO 频率,LO 频率需要非解析修正。
注意事项¶
LEPSILON不需要增加NBANDS,增加反而更慢。- 对含 vdW 修正(
IVDW)的体系,DFPT 声子(IBRION = 7/8)不可用,可改用IBRION = 6+LEPSILON或LCALCEPS。 - 非共线(SOC)体系:VASP < 6.5.0 中
LEPSILON+ 对称性的结果有误(known issue 20,旧版本用ISYM = -1);GPU 上非共线线性响应也有已知问题(known issue 114,可用 CPU、OMP_NUM_THREADS=1规避)。 - 生成 phonopy 的 BORN 文件:
phonopy-vasp-born读取 Part A(或 Part B)目录中的 vasprun.xml,详见 第12章。
返回教程:第14章 介电与光学性质